参数资料
型号: IR2112S
厂商: International Rectifier
英文描述: HIGH AND LOW SIDE DRIVER
中文描述: 高端和低端驱动
文件页数: 12/17页
文件大小: 176K
代理商: IR2112S
IR2112(S) & (PbF)
4
www.irf.com
Functional Block Diagram
Symbol
Description
VDD
Logic supply
HIN
Logic input for high side gate driver output (HO), in phase
SD
Logic input for shutdown
LIN
Logic input for low side gate driver output (LO), in phase
VSS
Logic ground
VB
High side floating supply
HO
High side gate drive output
VS
High side floating supply return
VCC
Low side supply
LO
Low side gate drive output
COM
Low side return
Lead Definitions
Lead Assignments
14 Lead DIP
16 Lead SOIC (Wide Body)
IR2112
IR2112S
Part Number
SD
LIN
V
DD
PULSE
GEN
R
S
Q
V
SS
UV
DETECT
DELAY
HV
LEVEL
SHIFT
PULSE
FILTER
UV
DETECT
V
DD /VCC
LEVEL
SHIFT
V
DD /VCC
LEVEL
SHIFT
R
S
Q
R
S
RQ
HIN
COM
HO
V
S
V
CC
LO
V
B
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PDF描述
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参数描述
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IR2112STR 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2112STRPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2113 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
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