参数资料
型号: IR2112S
厂商: International Rectifier
英文描述: HIGH AND LOW SIDE DRIVER
中文描述: 高端和低端驱动
文件页数: 2/17页
文件大小: 176K
代理商: IR2112S
IR2112(S) & (PbF)
10
www.irf.com
Figure 20A. Logic “I” Input Current vs. Temperature
Figure 17B. VBS Supply Current vs. Voltage
0
20
40
60
80
100
10
12
14
16
18
20
VBS
Supply
Current
(uA)
Max .
Ty p.
V B S Floating S upply V oltage (V )
0
50
100
150
200
250
300
-5 0
-25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
Vcc
Supply
Current
(uA)
T e m p erat ure (° C )
Max.
Typ.
Figure 18A. VCC Supply Current vs. Temperature
Figure 18B. VCC Supply Current vs. Voltage
0
50
100
150
200
250
300
10
12
14
16
18
20
Vcc
Supply
Current
(uA)
Vcc Fixed Supply Voltage (V)
Max.
Typ.
0
2
4
6
8
10
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
VDD
Supply
Current
(uA)
Temperature (°C)
Max.
Typ.
Figure 19A. VDD Supply Current vs. Temperature
Figure 19B. VDD Supply Current vs. VDD Voltage
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
1012
1416
1820
VDD
Supply
Current
(uA
)
VDD Logic Supply Voltage (V)
Max.
Typ.
0
20
40
60
80
100
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Logic
"1
"
Input
Bias
Current
(uA)
Temperature (°C)
Max.
Typ.
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参数描述
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IR2112STR 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2112STRPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2113 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
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