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参数资料
| 型号： | IR21141SSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 19/33页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 600V 24-SSOP |
| 标准包装： | 55 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 440ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 11.5 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SSOP |
| 包装： | 管件 |
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IR2114/IR2214SSPbF
R DRn =
Vcc
I o ?
which is driven only by IGBT characteristics.
As an example, table 3 reports R Goff (calculated with the
In any case, the worst condition for unwanted turn on is
with very fast steps on the IGBT collector.
In that case, the collector to gate transfer function can
be approximated with the capacitor divider:
above mentioned disequation) for two popular IGBTs to
withstand dV out /dt = 5 V/ns .
NOTICE: The above-described equations are intended
V ge = V de ?
C RESoff
( C RESoff + C IES )
to approximate a way to size the gate resistance. A
more accurate sizing may provide more precise device
and PCB (parasitic) modelling.
IGBT
Qge
Qgc
Vge*
tsw
Iavg
Rtot
RGon → std commercial value
Tsw
IRGP30B120K(D)
IRG4PH30K(D)
19 nC
10 nC
82 nC
20 nC
9 V 400 ns 0.25 A
9 V 200 ns 0.15 A
24 ?
40 ?
RTOT - RDRp = 12.7
RTOT - RDRp = 32.5
→ 10
→ 33
→ 420 ns
→ 202 ns
Table 1: t sw Driven R Gon Sizing
IGBT
Qge
Qgc
Vge*
CRESoff
Rtot
RGon → std commercial value
dVout/dt
IRGP30B120K(D)
IRG4PH30K(D)
19 nC
10 nc
82 nC 9 V 85 pF
20 nC 9 V 14 pF
14 ?
85 ?
RTOT - RDRp = 6.5
RTOT - RDRp = 78
→ 8.2
→ 82
→ 4.5 V/ns
→ 5 V/ns
Table 2: dV OUT /dt Driven R Gon Sizing
IGBT
IRGP30B120K(D)
Vth(min)
4
CRESoff
85 pF
RGoff
RGoff ≤ 4
www.irf.com
IRG4PH30K(D)
3 14 pF
Table 3: R Goff Sizing
19
RGoff ≤ 35
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IR2114SS | 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 24-SSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2114SSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V HALF BRDG DRVR IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2114SSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Driver IC |
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