- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录331 > IR21141SSPBF (International Rectifier)IC DRVR HALF BRIDGE 600V 24-SSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IR21141SSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 21/33页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 600V 24-SSOP |
| 标准包装： | 55 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 440ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 11.5 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SSOP |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页当前第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页
IR2114/IR2214SSPbF
Figures 25-83 provide information on the experimental performance of the IR2114/IR2214SSPbF HVIC. The line plotted
in each figure is generated from actual lab data. A large number of individual samples from multiple wafer lots were
tested at three temperatures (-40 oC, 25 oC, and 125 oC) in order to generate the experimental (Exp.) curve. The line
labeled Exp. consist of three data points (one data point at each of the tested temperatures) that have been connected
together to illustrate the understood trend. The individual data points on the curve were determined by calculating the
averaged experimental value of the parameter (for a given temperature).
10.30
10.25
10.20
10.15
10.10
9.60
9.55
9.50
9.45
9.40
9.35
10.05
10.00
9.95
Exp.
9.30
9.25
9.20
9.15
Exp.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
Temperature ( C)
o
Figure 25. V CCUV+ Threshold vs. Temperature
10.45
10.40
10.35
10.30
10.25
10.20
10.15
o
Figure 26. V CCUV- Threshold vs. Temperature
9.70
9.65
9.60
9.55
9.50
9.45
9.40
10.10
10.05
10.00
Exp.
9.35
9.30
9.25
Exp.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
600
500
Temperature ( o C)
Figure 27. V BSUV+ Threshold vs. Temperature
1.00
0.90
0.80
o
Figure 28. V BSUV- Threshold vs. Temperature
400
0.70
0.60
Exp.
300
200
100
0
Exp.
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
Temperature ( C)
o
Figure 29. V BS Quiescent Current vs. Temperature
www.irf.com
21
o
Figure 30. V CC Quiescent Current vs. Temperature
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR2118PBF | IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP |
| IR2121PBF | IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8DIP |
| IR2122 | IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP |
| IR2125PBF | IC MOSFET DRIVER LIMITING 8-DIP |
| IR21271PBF | IC DRIVER 600V 200/420MA 8-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR21141SSPBF_09 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC |
| IR21141SSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V Hlf Brdg Drvr IC for Pwr Swtch App RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2114SS | 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 24-SSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2114SSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V HALF BRDG DRVR IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2114SSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Driver IC |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。