参数资料
型号: IR21141SSPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 26/33页
文件大小: 0K
描述: IC DRVR HALF BRIDGE 600V 24-SSOP
标准包装: 55
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 440ns
电流 - 峰: 2A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 11.5 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 24-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
供应商设备封装: 24-SSOP
包装: 管件
IR2114/IR2214SSPbF
130
105
80
490
430
370
Exp.
55
30
Exp.
310
250
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
Temperature ( o C)
Figure 55. SY_FLT Open Drain Resistance vs. Temperature
490
430
Exp.
370
310
250
780
660
540
420
300
o
Figure 56. DTL Off Deadtime vs. Temperature
Exp.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
Temperature ( C)
780
660
o
Figure 57. DTH Off Deadtime vs. Temperature
o
Figure 58. TonH Propagation Delay vs. Temperature
32
28
24
540
20
Exp.
420
300
Exp.
16
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
Temperature ( C)
o
Figure 59. ToffH Propagation Delay vs. Temperature
www.irf.com
26
o
Figure 60. TrH Turn On Rise Time vs. Temperature
? 2009 International Rectifier
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PDF描述
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参数描述
IR21141SSPBF_09 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC
IR21141SSTRPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V Hlf Brdg Drvr IC for Pwr Swtch App RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2114SS 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 24-SSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR2114SSPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V HALF BRDG DRVR IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2114SSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Driver IC