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参数资料
| 型号： | IR3513ZMTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 32/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRL XPHASE3 POL 32-MLPQ |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | XPhase3™ |
| 应用： | 处理器 |
| 电流 - 电源： | 3mA |
| 电源电压： | 8 V ~ 16 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 32-MLPQ（5x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS
REPLACEMENT PRODUCT – IR3513ZMTRPBF
IR3513
LAYOUT GUIDELINES
The following layout guidelines are recommended to reduce the parasitic inductance and resistance of the
PCB layout, therefore minimizing the noise coupled to the IC.
? Dedicate at least one middle layer for a ground plane.
? Separate analog bus (EAIN, DACIN and ISHARE) from digital bus (CLKIN, PHSIN, and PHSOUT) to
reduce the noise coupling.
? Connect PGND to LGND pins to the ground plane through vias
? Place current sense resistors and capacitors (R CS and C CS ) close to IC. Use Kelvin connection for the
inductor current sense wires, but separate the two wires by ground polygon. The wire from the inductor
terminal to CSIN- should not cross over the fast transition nodes, i.e. switching nodes, gate drive outputs
and bootstrap nodes.
? Place the IC, gate drive side as close as possible to the MOSFETs to reduce the parasitic resistance and
inductance of the gate drive paths.
? Place the input ceramic capacitors close to the drain of top MOSFET and the source of bottom MOSFET.
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May 11, 2008
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR3514MTRPBF | IC XPHASE3 CONTROL HYBRD 40-MLPQ |
| IR3521MTRPBF | IC CTRL XPHASE3 SVID 32-MLPQ |
| IR3522MTRPBF | IC CTRL XPHASE3 DDR/VVT 32-MLPQ |
| IR3523MTRPBF | IC XPHASE3 CTLR VR11.1 40-MLPQ |
| IR3527MTRPBF | IC CTRL XPHASE3 DUAL 24-MLPQ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR3513ZMTRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:IR3513 Series 16 V 3 mA Surface Mount XPhase3 POL Control IC - MLPQ-32 |
| IR3514 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:XPHASE3TM AMD HYBRID CONTROL IC |
| IR3514MPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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| IR3515SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 41A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V |
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