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参数资料
| 型号： | IRF3205ZSTRLPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 55 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 379K |
| 代理商： | IRF3205ZSTRLPBF |
IRF3205ZS/LPbF
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
C
,C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F
)
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100sec
0
20
40
60
80
100
120
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
V
G
S
,G
at
e-
to
-S
ou
rc
e
V
ol
ta
ge
(V
)
VDS= 44V
VDS= 28V
VDS= 11V
ID= 66A
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF3205ZSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 76nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF320LSPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF321 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF322 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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