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参数资料
| 型号： | IRF3205ZSTRLPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 55 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 379K |
| 代理商： | IRF3205ZSTRLPBF |
IRF3205ZS/LPbF
6
www.irf.com
QG
QGS
QGD
VG
Charge
10 V
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
Fig 14. Threshold Voltage Vs. Temperature
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
VGS
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
350
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
27A
47A
BOTTOM 66A
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
V
G
S
(t
h)
G
at
e
th
re
sh
ol
d
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 250A
1K
VCC
DUT
0
L
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF351 | 15 A, 350 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF3205ZSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 76nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF320LSPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF321 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF322 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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