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参数资料
| 型号： | IRF3205ZSTRLPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 55 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 379K |
| 代理商： | IRF3205ZSTRLPBF |
IRF3205ZS/LPbF
www.irf.com
5
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
I D
,D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
LIMITED BY PACKAGE
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
T
he
rm
al
R
es
po
ns
e
(
Z
th
JC
)
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
R
D
S
(o
n)
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(N
or
m
al
iz
ed
)
ID = 66A
VGS = 10V
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF3205ZSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 76nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF320LSPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
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