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参数资料
| 型号： | IRF4905STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 74A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 38A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF4905S/L
1000
100
10
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTT OM - 4. 5V
-4.5 V
1000
100
10
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTT OM - 4. 5V
-4.5 V
T c = 25°C
1
0.1
1
2 0μ s PU LS E W ID TH
10 100
A
1
0.1
1
20 μ s PU LSE W ID TH
J
T C = 175°C
10 100
A
-V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V D S , Drain-to-Source V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
T J = 2 5 °C
2.0
1.5
I D = -64 A
100
T J = 1 7 5 °C
1.0
10
0.5
V DS = -2 5 V
1
4
5
6
7
2 0 μ s P U L S E W ID T H
8 9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V G S = -10 V
A
100 120 140 160 180
-V G S , Ga te-to-S o urce V oltage (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction T emperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF510STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
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| IRF520SPBF | MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF4905STRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRF4905STRRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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