参数资料
型号: IRF4905STRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 5/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 74A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 38A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3400pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF4905S/L
80
V DS
R D
60
R G
V GS
D.U.T.
V DD
40
20
-10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS
0
25
50
75
100
125
150
175
10%
T C , Case Temperature
( ° C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
90%
V DS
Fig 10b. Switching Time Waveforms
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
P DM
t 1
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
相关PDF资料
PDF描述
IRF510STRLPBF MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRF510 MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
IRF520NSTRR MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IRF520N MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
IRF520SPBF MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF4905STRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF4905STRRPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF4N60 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF4N60FP 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF500 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED