参数资料
型号: IRF4905STRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 6/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 74A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 38A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3400pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF4905S/L
VDS
L
2500
TO P
I D
-1 6A
- 27A
R G
D .U .T
VD D
2000
BOT TO M
-38 A
- 20V
tp
IA S
0.01 ?
D R IV E R
A
1500
1000
15V
500
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
0
A
25
50
75
100
125
150
175
I AS
Starting T J , Junction T emperature (°C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
tp
V (BR)DSS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
-10V
V G
Q GS
Q G
Q GD
12V
V GS
.2 μ F
.3 μ F
-3mA
D.U.T.
V DS
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
相关PDF资料
PDF描述
IRF510STRLPBF MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRF510 MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
IRF520NSTRR MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IRF520N MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
IRF520SPBF MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF4905STRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF4905STRRPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF4N60 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF4N60FP 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF500 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED