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参数资料
| 型号： | IRF4905STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 74A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 38A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF4905S/L
7000
V GS
= 0 V, f = 1M H z
20
I D = -3 8A
C is s
= C gs +C gd , C ds SH O RTE D
6000
C rs s
C o ss
= C gd
= C ds + C g d
16
V DS = - 44V
V DS = - 28V
5000
C is s
4000
3000
C o ss
12
8
2000
C rs s
4
1000
FOR TE ST C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
40
80
SE E FIG U R E 1 3
120 160
A
200
1000
100
-V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 17 5°C
1000
100
Q G , Total G ate C harge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPE R ATIO N IN TH IS A RE A LIMITE D
BY R D S(o n)
100μ s
T J = 25 °C
1m s
10
10
T C = 2 5°C
10m s
V G S = 0 V
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6 1.8
A
1
1
T J = 1 75°C
Sin gle Pu lse
10
100
A
-V S D , S ource-to-Drain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V D S , Drain-to-Source V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF510STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
| IRF510 | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB |
| IRF520NSTRR | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK |
| IRF520N | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB |
| IRF520SPBF | MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF4905STRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRF4905STRRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF4N60 | 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF4N60FP | 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF500 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED |
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