参数资料
型号: IRF4905STRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 74A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 38A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3400pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF4905S/L
D 2 Pak Package Outline
1.40 (.055)
MAX.
10.54 ( .415)
10.29 ( .405)
-A-
2
4.69 (.185)
4.20 (.165)
-B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
10.16 (.400)
RE F .
6.47 (.255)
6.18 (.243)
1.78 (.070)
1.27 (.050)
1
3
15.49 (.610)
14.73 (.580)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
5.28 (.208)
4.78 (.188)
2.61 (.103)
2.32 (.091)
3X
1.40 (.055)
1.14 (.045)
5.08 ( .200)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
0.25 (.010)
M
B A M
0.55 (.022)
0.46 (.018)
1.39 (.055)
1.14 (.045)
8.89 (.350)
RE F.
MINIMUM RECO MM ENDED F OO TP RINT
11.43 (.450)
NO TE S:
1 DIM ENS IO NS AF T ER S OLDE R DIP .
2 DIM ENS IO NING & TO LERA NCING PE R ANS I Y 14.5M, 1982.
3 CO NT RO LLING DIME NSIO N : INCH.
4 HE AT SINK & LEAD DIMEN SION S DO NO T INCLUDE BURRS.
Part Marking Information
D 2 Pak
LE AD ASS IG NM ENT S
1 - G AT E
2 - DRA IN
3 - S OU RC E
8.89 (.350)
3.81 (.150)
2.08 (.082)
2X
17.78 (.700)
2.54 (.100)
2X
IN TER NATION AL
A
PART NU MBER
REC TIFIER
L OGO
AS SEMBLY
LOT CODE
F53 0S
9246
9B 1M
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEAR
W W = W EE K
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