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参数资料
| 型号： | IRF5210L |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 40A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF5210L |
IRF5210S/L
1000
TO P
VGS
- 15V
1000
TOP
VGS
- 15V
100
10
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOT TOM - 4.5V
-4.5 V
100
10
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
-4 .5V
4 0μ s P U LS E W ID TH
4 0μ s P U LS E W ID TH
1
0.1
1
T c = 2 5°C
10
A
100
1
0.1
1
T C = 1 75 °C
10
A
100
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
3.0
2.5
I D = -3 5A
100
T J = 2 5 °C
2.0
10
T J = 17 5 °C
1.5
1.0
0.5
V DS = -5 0 V
1
4
5
6
7
4 0μ s P U L S E W ID TH
8 9
10
A
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V G S = -10 V
A
100 120 140 160 180
-V G S , Ga te -to-Source Volta ge (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF5305L | MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 |
| IRF530A | MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 |
| IRF530NL | MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 |
| IRF530STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK |
| IRF540NL | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF5210LHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IRF5210LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF5210PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF5210PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P -100V -40A TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220 TUBE 50 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -100V, -40A, TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -100V, -40A, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power ;RoHS Compliant: Yes |
| IRF5210PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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