参数资料
型号: IRF5210STRR
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 24A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2700pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF5210S/L
1000
TO P
VGS
- 15V
1000
TOP
VGS
- 15V
100
10
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOT TOM - 4.5V
-4.5 V
100
10
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
-4 .5V
4 0μ s P U LS E W ID TH
4 0μ s P U LS E W ID TH
1
0.1
1
T c = 2 5°C
10
A
100
1
0.1
1
T C = 1 75 °C
10
A
100
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
3.0
2.5
I D = -3 5A
100
T J = 2 5 °C
2.0
10
T J = 17 5 °C
1.5
1.0
0.5
V DS = -5 0 V
1
4
5
6
7
4 0μ s P U L S E W ID TH
8 9
10
A
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V G S = -10 V
A
100 120 140 160 180
-V G S , Ga te -to-Source Volta ge (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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