参数资料
型号: IRF5210STRR
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 24A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2700pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF5210S/L
6000
V GS
=
0V , f = 1 M H z
20
I D = -2 1A
5000
C iss
C iss
C rs s
C o ss
=
=
=
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
C gd
C ds + C g d
16
V D S = -80 V
V D S = -50 V
V D S = -20 V
4000
3000
C oss
C rss
12
8
2000
4
1000
FO R TE S T CIR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
40
80
S E E FIG U R E 1 3
120 160
A
200
1000
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A T IO N IN T H IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
100
100
10μ s
T J = 1 75 °C
100μs
T J = 2 5°C
10
10
T C = 25 °C
1m s
10m s
V G S = 0V
1
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0 2.4
A
1
1
T J = 17 5°C
S ing le P u lse
10
100
A
1000
-V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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PDF描述
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