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参数资料
| 型号： | IRF5210STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF5210S/L
50
V DS
R D
40
30
20
V GS
R G
-10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
D.U.T.
V DD
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
10
t d(on)
t r
t d(off)
t f
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS
10%
T C , Case Temperature ( ° C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
90%
V DS
Fig 10b. Switching Time Waveforms
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
P DM
t 1
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT3079JB | ACCY CAP FOR B PLUNGER WHT/CLEAR |
| IRF520NS | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK |
| IRF1010NS | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK |
| AT078C | SW CAP SCREW-ON .315" RND RED |
| IRLU2905 | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF5210STRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRF5210STRRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF521FI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
| IRF521R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | TO-220AB |
| IRF522 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
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