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参数资料
| 型号： | IRF530PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Dynamic dv/dt Rating, Fast Switching, Ease of Paralleling, Simple Drive Requirements |
| 中文描述： | 动态dv / dt的评级，快速切换，对并联，轻松简单驱动需求 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | IRF530PBF |
IRF530NS/L
www.irf.com
3
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
VDS
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
4.5V
1
10
100
0.1
1
10
100
4.5V
I
D
VDS
VGS
A
20μs PULSE W IDTH
T = 175°C
1
10
100
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
J
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
V = 50V
20μs PULSE W IDTH
T = 175°C
A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
R
D
(
V = 10V
A
I = 15A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF530SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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