型号: | IRF530PBF |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | Dynamic dv/dt Rating, Fast Switching, Ease of Paralleling, Simple Drive Requirements |
中文描述: | 动态dv / dt的评级,快速切换,对并联,轻松简单驱动需求 |
文件页数: | 7/10页 |
文件大小: | 178K |
代理商: | IRF530PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF530 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A) |
IRF530NS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A) |
IRF530 | N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
IRF530 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
IRF530NLPBF | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF530R | 制造商:IR 功能描述:IRF530 |
IRF530S | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF530SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF530STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF530STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |