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参数资料
| 型号： | IRF530STRLPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK（SMD-220） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF530S, SiHF530S
Vishay Siliconix
1400
1200
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
C rss = C gd
1000
800
600
C oss = C ds + C gd
C iss
C oss
10 1
175 ° C
25 ° C
400
200
C rss
10 0
V GS = 0 V
0
10 0
10 1
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
91020_05
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91020_07
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
20
I D = 14 A
10 3
5
16
12
8
V DS = 80 V
V DS = 50 V
V DS = 20 V
2
10 2
5
2
10
5
2
Operation in this area limited
by R DS(on)
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
4
0
0
5
10
15
For test circuit
see figure 13
20 25
1
5
2
0.1
0.1
2
5
1
2
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
5 2
10
5
10 2
2
5
10 3
91020_06
Q G , Total Gate Charge (nC)
91020_08
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
Document Number: 91020
S11-1046-Rev. C, 30-May-11
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF540NL | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF530STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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