参数资料
型号: IRF530STRLPBF
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 5/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
标准包装: 800
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 160 毫欧 @ 8.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25V
功率 - 最大: 88W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK(SMD-220)
包装: 带卷 (TR)
IRF530S, SiHF530S
Vishay Siliconix
14
V DS
R D
12
10
R g
V GS
D.U.T.
+
- V DD
8
6
4
2
10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS
90 %
91020_09
T C , Case Temperature (°C)
10 %
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
10
1
0 - 0.5
0.2
0.1
P DM
0.1
0.05
t 1
10 -2
0.02
0.01
Single Pulse
(Thermal Response)
t 2
Notes:
1. Duty Factor, D = t 1 /t 2
2. Peak T j = P DM x Z thJC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
0.1
1
10
91020_11
Document Number: 91020
S11-1046-Rev. C, 30-May-11
t 1 , Rectangular Pulse Duration (s)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.vishay.com
5
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参数描述
IRF530STRR 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF530STRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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