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参数资料
| 型号： | IRF6100PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 628K |
| 代理商： | IRF6100PBF |
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0
4
8
12
16
20
24
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-5.1A
V
=-16V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
10us
100us
1ms
10ms
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
400
800
1200
1600
2000
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
0.0
0.4
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
°
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PDF描述 |
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