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参数资料
| 型号： | IRF6100PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 628K |
| 代理商： | IRF6100PBF |
6
www.irf.com
Fig 13.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 12.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
Fig 14b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 14a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
-VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
RD
)
ID = -5.1A
0
10
20
30
40
-ID , Drain Current (A)
0.04
0.08
0.12
0.16
RD
)
VGS = -2.5V
VGS = -4.5V
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PDF描述 |
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