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参数资料
| 型号： | IRF6100PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 628K |
| 代理商： | IRF6100PBF |
www.irf.com
7
Fig 15.
Threshold Voltage Vs. Temperature
Maximum Power Dissipation
Vs. Time
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
-G
ID = -250μA
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
Pulsewidth (sec)
0
4
8
12
16
20
P
FlipFET
Part Marking Information
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF610PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF620PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF620SPBF | HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80ヘ , ID=5.2A ) |
| IRF6215LPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A ) |
| IRF6215SPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A ) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF610-613 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V |
| IRF610A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRF610B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF610B_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF610L | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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