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参数资料
| 型号： | IRF6215STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6215S/L
2000
1600
V GS
C is s
C rs s
C o ss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C g s + C g d , C d s S H O R T E D
C gd
C d s +C gd
20
16
I D = -6 .6 A
V D S = -12 0V
V D S = -75 V
V D S = -30 V
C iss
1200
800
400
C oss
C rss
12
8
4
FO R TE S T CIR C U IT
0
A
0
S E E FIG U R E 1 3
A
1
10
100
0
20
40
60
80
100
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A T IO N IN T H IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
10μ s
10
T J = 17 5 °C
T J = 25 °C
10
100μ s
1
1m s
T C = 25°C
T J = 17 5°C
0.1
V G S = 0V
A
1
S ing le P u lse
10m s
A
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
1
10
100
1000
-V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6215S | MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK |
| AT3080JB | ACCY CAP FOR B PLUNGER WHT/CLEAR |
| IRF530NS | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK |
| IRF5305S | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK |
| IRF5210STRR | MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6215STRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 150V 13A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF6215STRRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 290mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6216 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC |
| IRF6216PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 240mOhms 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6216PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P |
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