参数资料
型号: IRF6215STRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 6/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 13A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 290 毫欧 @ 6.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 860pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF6215S/L
VD S
L
800
TO P
I D
-2 .7A
-4 .7A
RG
-2 0 V
tp
D .U .T
IA S
0 .0 1 ?
D R IV E R
VD D
A
600
B O TTO M
-6.6 A
400
15V
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
0
A
I AS
25
50
75
100
125
150
175
S tarting T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
tp
V (BR)DSS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
-10V
Q GS
Q G
Q GD
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
V DS
V G
V GS
-3mA
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
相关PDF资料
PDF描述
IRF6215S MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
AT3080JB ACCY CAP FOR B PLUNGER WHT/CLEAR
IRF530NS MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
IRF5305S MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IRF5210STRR MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF6215STRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 150V 13A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF6215STRRPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 290mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6216 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC
IRF6216PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 240mOhms 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6216PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P