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参数资料
| 型号： | IRF6215STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6215S/L
15
V DS
R D
12
R G
V GS
D.U.T.
V DD
9
-10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
6
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
3
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS
0
10%
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature ( ° C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
90%
V DS
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
1
D = 0.50
0.20
0.10
P DM
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6215S | MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK |
| AT3080JB | ACCY CAP FOR B PLUNGER WHT/CLEAR |
| IRF530NS | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK |
| IRF5305S | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK |
| IRF5210STRR | MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6215STRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 150V 13A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF6215STRRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 290mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6216 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC |
| IRF6216PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 240mOhms 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6216PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P |
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