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参数资料
| 型号： | IRF634N |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 8 A, 250 V, 0.435 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | IRF634N |
IRF634N/S/L
www.irf.com
9
D2Pak Package Outline
D2Pak Part Marking Information
F530S
THIS IS AN IRF530S WITH
LOT CODE 8024
AS S EMBLED ON WW 02, 2000
IN THE AS S EMBLY LINE "L"
ASSEMBLY
LOT CODE
INT ERNATIONAL
RECT IFIER
LOGO
PART NUMBER
DAT E CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 02
LINE L
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF644NPBF | 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF644NSTRLPBF | 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF644NSTRRPBF | 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF644PBF | 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF644S | 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF634NL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRF634NLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF634NPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF634NS | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF634NSPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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