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参数资料
| 型号： | IRF640N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 67nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1160pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF640N |
IRF640N/S/L
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
200
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.25
–––
V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.15
?
V GS = 10V, I D = 11A
?
––– R G = 2.5 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
2.0
6.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
19
23
5.5
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 50V, I D = 11A ?
25 V DS = 200V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 160V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
67 I D = 11A
11 nC V DS = 160V
33 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13
––– V DD = 100V
––– I D = 11A
ns
––– R D = 9.0 ? , See Fig. 10 ?
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
4.5
7.5
–––
–––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
1160
185
53
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
––– pF ? = 1.0MHz, See Fig. 5
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
A
integral reverse
I S
I SM
V SD
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
Diode Forward Voltage
MOSFET symbol
––– ––– 18
showing the
G
––– ––– 72
p-n junction diode.
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 11A, V GS = 0V ?
D
S
t rr
Q rr
t on
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
––– 167 251 ns T J = 25°C, I F = 11A
––– 929 1394 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ CS
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface ?
Junction-to-Ambient ?
Junction-to-Ambient (PCB mount) ?
–––
0.50
–––
–––
1.0
–––
62
40
°C/W
www.irf.com
2
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