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参数资料
| 型号： | IRF640N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 67nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1160pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF640N |
IRF640N/S/L
2500
2000
1500
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
20
16
12
I D = 11A
V DS = 160V
V DS = 100V
V DS = 40V
1000
500
Coss
Crss
8
4
0
1
10 100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1000
0
0
20 40 60
Q G , Total Gate Charge (nC)
80
100
10
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 175 ° C
1000
100
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
T J = 25 ° C
10
100us
1ms
1
1
10ms
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS = 0 V
1.4
1.6
T C = 25 °C
T J = 175 °C
Single Pulse
0.1
0.1 1
10
100
1000
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
www.irf.com
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF640NLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
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