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参数资料
| 型号： | IRF640N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 67nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1160pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF640N |
IRF640N/S/L
20
V DS
R D
20
16
16
R G
V GS
D.U.T.
+ -
V DD
12
12
10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
8
4
8
4
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
50 T , Case Temperature ( 150
° C)
0
0
25
25
50 75 100 125 150
75 100 125
T C C , Case Temperature ( ° C)
175
175
10%
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
10
1
D = 0.50
0.20
0.10
Fig 10b. Switching Time Waveforms
P DM
0.1
0.05
t 1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
t 2
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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