| 型号： | IRF6665TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 SH |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? SH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6668TR1 | MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ |
| IRF710STRLPBF | MOSFET N-CH 400V 2.0A D2PAK |
| IRF7201TR | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
| IRF7204 | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC |
| IRF7207TR | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6665TR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 62mOhm 19A 8.7nC Qg for Aud RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6665TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6665TRPBF | 功能描述:MOSFET DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6668 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 80V 55A 7PIN DIRECT-FET MZ - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Ch 80V 55A Direct-FET MZ |
| IRF6668PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |