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参数资料
| 型号： | IRF6665TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 SH |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? SH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6665
100
1000
10
100
10
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
T J = -40°C
T J = 25°C
T J = 150°C
1
0.1
DC
1msec
10msec
VGS = 0V
1
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
10
100
1000
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
5
4
5.5
5.0
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
4.5
3
4.0
2
1
3.5
3.0
I D = 250μA
I D = 1.0mA
I D = 1.0A
0
25
50
75
100
125
150
2.5
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T A , Ambient Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs. Ambient Temperature
100
D = 0.50
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
10
0.20
0.10
τ J
SINGLE PULSE
1.6195
0.000126
2.1406
0.001354
τ A
1
0.1
0.05
0.02
0.01
R 1
R 1
τ J
τ 1
τ 1
Ci= τ i / Ri
Ci= τ i / Ri
( THERMAL RESPONSE )
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
R 4
R 4
τ 4
τ 4
Ri (°C/W) τ i (sec)
R 5
R 5
τ A
τ 5 22.2887 0.375850
τ 5
20.0457 7.410000
11.9144 99
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
0.01
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient ?
4
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6668TR1 | MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ |
| IRF710STRLPBF | MOSFET N-CH 400V 2.0A D2PAK |
| IRF7201TR | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
| IRF7204 | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRF6665TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6665TRPBF | 功能描述:MOSFET DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6668 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 80V 55A 7PIN DIRECT-FET MZ - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Ch 80V 55A Direct-FET MZ |
| IRF6668PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
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