参数资料
型号: IRF6665TR1
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
标准包装: 1,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 62 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V
功率 - 最大: 2.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DirectFET? 等容 SH
供应商设备封装: DIRECTFET? SH
包装: 带卷 (TR)
IRF6665
100
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
10
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
6.0V
6.0V
1
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
100
10
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
2.0
I D = 5.0A
VGS = 10V
1.5
1
0.1
T J = -40°C
T J = 25°C
T J = 150°C
VDS = 25V
≤ 60μs PULSE WIDTH
1.0
0.5
2
4
6
8
10
12
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
10000
1000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
12.0
10.0
8.0
ID= 5.0A
VDS= 80V
VDS= 50V
VDS= 20V
Ciss
6.0
Coss
100
10
Crss
4.0
2.0
0.0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
www.irf.com
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
3
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PDF描述
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