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参数资料
| 型号： | IRF7207TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 5.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 780pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7207
100
VGS
TOP -7.00V
-5.00V
-4.50V
-3.50V
-3.00V
-2.70V
-2.50V
BOTTOM -2.25V
100
VGS
TOP -7.00V
-5.00V
-4.50V
-3.50V
-3.00V
-2.70V
-2.50V
BOTTOM -2.25V
10
-2.25V
10
-2.25V
J
J
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T = 25 ° C
10
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T = 150 ° C
10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
T J = 25 C
100
10
°
T J = 150 ° C
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = -5.4A
1
2.0
3.0
4.0 5.0 6.0
V DS = -10V
20μs PULSE WIDTH
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
-10V
80 100 120 140 160
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF720CHIP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | CHIP |
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