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参数资料
| 型号： | IRF7207TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 5.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 780pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7207
6.0
5.0
4.0
3.0
400
300
200
I D
TOP -2.4A
-4.3A
BOTTOM -5.4A
2.0
100
1.0
0.0
25
50
75
100
125
150
0
Starting T J , Junction Temperature ( C)
T C , Case Temperature
( ° C)
25
50 75 100 125
°
150
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
100
D = 0.50
Fig 10. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
10
0.20
0.10
1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P DM
t 1
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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