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参数资料
| 型号： | IRF7207TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 5.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 780pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7207
1600
1200
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
10
8
I D = -5.4A
V DS = -10V
800
C iss
oss
C
6
4
400
rss
C
2
0
1
10
100
0
0
5
10
15 20 25 30
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
BY R
100
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
100
10
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
DS(on)
100us
1ms
0.1
0.4
0.6
0.7
0.9
1.1
V GS = 0 V
1.2 1.4
1
1 10
T J = 150 ° C
Single Pulse
10ms
T A = 25 ° C
100
4
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF720 | MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB |
| IRF7220 | MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC |
| IRF7233TR | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |
| IRF730ASTRRPBF | MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK |
| IRF7321D2TR | MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7207TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF7207TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -5.4A 60mOhm 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF720A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET (400V, 1.8ohm, 3.3A) |
| IRF720B | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF720CHIP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | CHIP |
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