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参数资料
| 型号： | IRF7413ATR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7413A
100
T OP
VGS
15V
100
TOP
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOT TOM 3. 0V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
10
3 .0 V
20 μs P U LSE W IDTH
10
3 .0V
20 μs P U LSE W IDTH
1
0.1
1
T J = 25 °C
10
A
1
0.1
1
T J = 15 0°C
10
A
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , D rain-to-S ource Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 1 50 °C
T J = 2 5 ° C
V D S = 1 0 V
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 7.3A
1
3.0
3.5
2 0 μ s PU L SE W ID TH
4.0 4.5
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V G S = 10 V
A
100 120 140 160
V G S , Ga te-to-S o urce V oltage (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction T emperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7413QTRPBF | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| IRF7416QTRPBF | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC |
| IRF7421D1TR | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| IRF7422D2TR | MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC |
| IRF7452QTRPBF | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7413GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7413PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7413QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7413QPBF_10 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET |
| IRF7413QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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