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参数资料
| 型号： | IRF7421D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD- 91411D
IRF7421D1
FETKY ? MOSFET / Schottky Diode
l
l
l
l
Co-packaged HEXFET ? Power
MOSFET and Schottky Diode
Ideal For Synchronous Regulator
Applications
Generation V Technology
SO-8 Footprint
A
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
A
A
D
D
D
D
V DSS = 30V
R DS(on) = 0.035 ?
Schottky Vf = 0.39V
Top View
Description
The FETKY TM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer
the designer an innovative board space saving solution for switching
regulator applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining
this technology with International Rectifier's low forward drop Schottky
rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide
variety of portable electronics applications.
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced
thermal characteristics. The SO-8 package is designed for vapor phase,
infrared or wave soldering techniques.
Absolute Maximum Ratings (T A = 25°C unless otherwise noted)
SO-8
Parameter
Maximum
Units
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
V GS
dv/dt
T J, T STG
Continuous Drain Current, V GS @10V ?
Pulsed Drain Current à
Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt á
Junction and Storage Temperature Range
5.8
4.6
46
2.0
1.3
16
± 20
-5.0
-55 to +150
A
W
W/°C
V
V/ns
°C
Thermal Resistance Ratings
Parameter
Maximum
Units
R θ JA
Junction-to-Ambient ?
62.5
°C/W
Notes:
à Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see figure 11)
á I SD ≤ 4.1A, di/dt ≤ 110A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS , T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%
? Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 10sec .
www.irf.com
1
10/18/04
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