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参数资料
| 型号： | IRF7421D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7421D1
MOSFET Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
2
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
?
— R G = 6.2 ?
V (BR)DSS
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
30
—
—
1.0
4.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.026
0.040
—
—
—
—
—
—
18
2.2
5.9
6.7
27
20
16
510
200
84
— V V GS = 0V, I D = 250μA
0.035 V GS = 10V, I D = 4.1A ?
0.060 V GS = 4.5V, I D = 2.1A ?
— V V DS = V GS , I D = 250μA
— S V DS = 15V, I D = 2.1A
1.0 V DS = 24V, V GS = 0V
μA
25 V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125°C
-100 V GS = -20V
nA
100 V GS = 20V
27 I D = 4.1A
3.3 nC V DS = 24V
8.9 V GS = 10V (see figure 10) ?
— V DD = 15V
— I D = 4.1A
ns
— R D = 3.7 ? ?
— V GS = 0V
— pF V DS = 25V
— ? = 1.0MHz (see figure 9)
MOSFET Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
Min. Typ. Max. Units
Continuous Source Current (Body Diode) — — 3.1 A
Pulsed Source Current (Body Diode) — — 33
Body Diode Forward Voltage — — 1.0 V
Reverse Recovery Time (Body Diode) — 57 86 ns
Reverse Recovery Charge — 93 140 nC
Conditions
T J = 25°C, I S = 4.1A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 4.1A
di/dt = 100A/μs ?
Schottky Diode Maximum Ratings
Parameter
Max. Units.
Conditions
I F(av)
I SM
Max. Average Forward Current
Max. peak one cycle Non-repetitive
Surge current
1.7
1.2
120
11
A
A
50% Duty Cycle. Rectangular Wave, T A = 25°C
T A = 70°C
5μs sine or 3μs Rect. pulse Following any rated
10ms sine or 6ms Rect. pulse load condition &
with V RRM applied
Schottky Diode Electrical Specifications
Parameter
Max. Units
Conditions
V FM
Max. Forward voltage drop
0.50
0.62
0.39
0.57
V
I F = 1.0A, T J = 25°C
I F = 2.0A, T J = 25°C
I F = 1.0A, T J = 125°C
I F = 2.0A, T J = 125°C .
I RM
Max. Reverse Leakage current
0.06
16
mA
V R = 30V T J = 25°C
T J = 125°C
C t
dv/dt
2
Max. Junction Capacitance
Max. Voltage Rate of Charge
110 pF
3600 V/ μs
V R = 5Vdc ( 100kHz to 1 MHz) 25°C
Rated V R
www.irf.com
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