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参数资料
| 型号： | IRF7421D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7421D1
SO-8 (Fetky) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D
B
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMET ERS
MIN MAX
A
5
A
.0532
.0688
1.35
1.75
A1 .0040
.0098
0.10
0.25
b
.013
.020
0.33
0.51
E
6
8
1
7
2
6
3
5
4
H
0.25 [.010]
A
c
D
E
e
.0075 .0098
.189 .1968
.1497 .1574
.050 BAS IC
0.19 0.25
4.80 5.00
3.80 4.00
1.27 BAS IC
e1
.025 BAS IC
0.635 BASIC
H
.2284
.2440
5.80
6.20
6X
e
K
L
y
.0099
.016
0°
.0196
.050
8°
0.25
0.40
0°
0.50
1.27
8°
e1
A
C
y
K x 45°
8X b
0.25 [.010]
A1
C A B
0.10 [.004]
8X L
7
8X c
NOT ES:
1. DIMENS IONING & TOLERANCING PER AS ME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER
3. DIMENS IONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES].
4. OUT LINE CONF ORMS T O JEDEC OUTLINE MS -012AA.
5 DIMENS ION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006].
6 DIMENS ION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010].
7 DIMENS ION IS THE LENGT H OF LEAD FOR SOLDERING TO
A SUBSTRATE.
6.46 [.255]
FOOTPRINT
8X 0.72 [.028]
3X 1.27 [.050]
SO-8 (Fetky) Part Marking Information
EXAMPLE: THIS IS AN IRF7807D1 (FETKY)
8X 1.78 [.070]
DATE CODE (YWW)
P = DISGNATES LEAD - FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
Y = LAST DIGIT OF THE YEAR
www.irf.com
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
XXXX
807D1
WW= WEEK
A = ASSEMBLY SITE CODE
LOT CODE
PART NUMBER
7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF7422D2TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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