- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录444 > IRF7413ATR (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7413ATR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7413A
600
TOP
I D
3.3A
15 V
500
BOTTOM
6.0A
7.3A
VDS
L
D R IV E R
400
RG
2 0V
tp
D .U .T
IA S
0 .0 1 ?
+
-
VDD
A
300
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
100
Starting T J , Junction Temperature ( C)
tp
V (BR )D SS
0
25
50 75 100 125
o
150
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7413QTRPBF | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| IRF7416QTRPBF | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC |
| IRF7421D1TR | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| IRF7422D2TR | MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC |
| IRF7452QTRPBF | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7413GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7413PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7413QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7413QPBF_10 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET |
| IRF7413QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。