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参数资料
| 型号： | IRF7450 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | IRF7450 |
www.irf.com
1
2/22/01
IRF7450
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
Parameter
Max.
Units
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
2.5
ID @ TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
2.0
A
IDM
Pulsed Drain Current
20
PD @TA = 25°C
Power Dissipation
2.5
W
Linear Derating Factor
0.02
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 30
V
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt
11
V/ns
TJ
Operating Junction and
-55 to + 150
TSTG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
Notes
through are on page 8
SO-8
T op V iew
8
1
2
3
4
5
6
7
D
G
S
A
S
A
VDSS
RDS(on) max
ID
200V
0.17
@VGS = 10V 2.5A
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Units
RθJL
Junction-to-Drain Lead
–––
20
RθJA
Junction-to-Ambient
–––
50
°C/W
Thermal Resistance
l High frequency DC-DC converters
Benefits
Applications
l Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design (See
App. Note AN1001)
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
PD- 93893A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7739L2TRPBF | 375 A, 40 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF7821 | Power MOSFET |
| IRF820 | N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
| IRF823 | N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
| IRF821 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7450_04 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET |
| IRF7450PBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 170mOhms 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7450TR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7450TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7450TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 2.5A 170mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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