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参数资料
| 型号： | IRF7450 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | IRF7450 |
IRF7450
8
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Notes:
Starting T
J = 25°C, L = 73mH
RG = 25, IAS = 2.5A.
Pulse width ≤ 400s; duty cycle ≤ 2%.
When mounted on 1 inch square copper board
33 0.00
(12.992)
MAX .
14.4 0 ( .566 )
12.4 0 ( .488 )
N O T ES :
1 . CO NT RO LL ING D IM EN SIO N : M ILLIME TER .
2 . O U TLIN E C O NF O RM S T O E IA-48 1 & E IA -54 1.
FEED D IRE C TIO N
TER M IN AL N UM B ER 1
12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
NO T E S:
1 . CO NT RO L L ING DIM E NSIO N : M IL L IM E T E R .
2 . AL L DIM E NS IO N S ARE SHO W N IN M ILL IM E TER S (IN C H E S ).
3. O U TL IN E C O N FO R M S TO E IA -481 & E IA -541.
SO-8 Tape and Reel
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information.2/01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7739L2TRPBF | 375 A, 40 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF7821 | Power MOSFET |
| IRF820 | N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
| IRF823 | N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
| IRF821 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7450_04 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET |
| IRF7450PBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 170mOhms 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7450TR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7450TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7450TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 2.5A 170mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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