- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录175864 > IRF7450 (International Rectifier) SMPS MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7450 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | IRF7450 |
IRF7450
www.irf.com
7
SO-8 Package Details
K x 4 5 °
C
8X
L
8X
θ
H
0 .2 5 (.0 1 0 )
M
A M
A
0 .10 (.00 4)
B 8 X
0 .2 5 (.0 1 0 )
M
C A S B S
- C -
6X
e
- B -
D
E
- A -
8
7
6
5
1
2
3
4
5
6
5
RE CO M M E NDE D F O O T P R IN T
0.7 2 (.028 )
8X
1.78 (.0 7 0 )
8 X
6.46 ( .2 55 )
1.2 7 ( .0 50 )
3 X
DIM
IN C H E S
M ILLIM E T E R S
M IN
M A X
M IN
M A X
A
.05 32
.06 88
1.3 5
1.75
A 1
.00 40
.00 98
0.1 0
0.25
B
.01 4
.01 8
0.3 6
0.46
C
.00 75
.009 8
0.19
0.25
D
.18 9
.196
4.80
4.98
E
.15 0
.15 7
3.8 1
3.99
e
.05 0 B A S IC
1.27 B A S IC
e1
.02 5 B A S IC
0 .635 B A S IC
H
.22 84
.244 0
5.8 0
6.20
K
.01 1
.01 9
0.2 8
0.48
L
0.16
.05 0
0.4 1
1.27
θ
0°
8°
0°
8 °
NO T E S:
1 . DIM E N S IO NING AN D T O L E R A NCING P E R ANS I Y1 4 .5 M -1 9 8 2 .
2 . C O N T R O L L IN G D IM E N S IO N : IN C H .
3 . DIM E N S IO NS A R E SHO W N IN M IL L IM ET E R S (INCHE S).
4 . O U T L IN E C O N F O R M S T O J E D E C O U T L IN E M S -0 1 2 A A .
DIM E NS IO N DO ES NO T IN C L UD E M O L D PRO T RUS IO NS
M O L D P R O T R U S IO N S N O T T O E X C E E D 0 .2 5 (.0 0 6 ).
D IM E N S IO N S IS T H E L E N G T H O F L E A D F O R S O L D E R IN G T O A S U B S T R A T E ..
5
6
A1
e1
θ
SO-8 Part Marking
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7739L2TRPBF | 375 A, 40 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF7821 | Power MOSFET |
| IRF820 | N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
| IRF823 | N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
| IRF821 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7450_04 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET |
| IRF7450PBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 170mOhms 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7450TR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7450TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7450TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 2.5A 170mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。