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参数资料
| 型号： | IRF7484TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 14A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 7V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7484TRPBFDKR |
IRF7484PbF
100000
10000
1000
100
VGS
TOP 7.5V
7.0V
4.5V
3.0V
2.5V
2.3V
2.0V
BOTTOM 1.8V
10000
1000
100
VGS
TOP 7.5V
7.0V
4.5V
3.0V
2.5V
2.3V
2.0V
BOTTOM 1.8V
10
1
10
1.8V
0.1
1.8V
20μs PULSE WIDTH
1
20μs PULSE WIDTH
0.01
Tj = 25°C
0.1
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000.00
100.00
2.0
1.5
I D = 14A
10.00
1.00
TJ = 150°C
T J = 25°C
VDS = 15V
1.0
0.5
0.10
1.0
2.0
20μs PULSE WIDTH
3.0
4.0
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
V GS = 10V
120 140
160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
T J , Junction Temperature
( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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