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参数资料
| 型号： | IRF7484TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 14A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 7V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7484TRPBFDKR |
IRF7484PbF
16.0
15.0
14.0
13.0
9.40
9.30
9.20
9.10
12.0
11.0
10.0
9.0
ID = 14A
9.00
8.90
8.80
8.70
VGS = 7.0V
8.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.60
0
20
40
60
80
100
120
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
1.8
1.7
1.6
ID , Drain Current (A)
Fig 13. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
50
40
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
ID = 250μA
30
20
10
0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
1.00
10.00
100.00
1000.00
T J , Temperature ( °C )
Fig 14. Typical Threshold Voltage Vs.
Time (sec)
Fig 15. Typical Power Vs. Time
6
Junction Temperature
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF7488TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 80V 6.3A 29mOhm 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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