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参数资料
| 型号： | IRF7484TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 14A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 7V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7484TRPBFDKR |
IRF7484PbF
15
V DS
R D
- V DD
12
9
R G
V GS
D.U.T.
+
V GS
6
3
0
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature
( ° C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
10%
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
100
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
0.02
P DM
1
0.01
t 1
t 2
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
0.1
2. Peak T
J = P DM x Z thJA
+T A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
10 0
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Typical Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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