型号: | IRF750 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为400V,导通电阻为0.3Ω,漏电流为15A)) |
中文描述: | 15 A, 400 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 2/7页 |
文件大小: | 243K |
代理商: | IRF750 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IRF820A | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为500V,导通电阻为3.0Ω,漏电流为2.5A)) |
IRF820S | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为500V,导通电阻为3.0Ω,漏电流为2.5A)) |
IRF840S | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为500V,导通电阻为0.85Ω,漏电流为8A)) |
IRF9521 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
IRF9522 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IRF7501 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NN MICRO-8 |
IRF7501HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:20V DUAL N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A MICRO 8 PACKAGE - Rail/Tube |
IRF7501PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NN MICRO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, DUAL, NN, MICRO-8 |
IRF7501TR | 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 2.4A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
IRF7501TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 2.4A 8PIN MICRO8 - Tape and Reel |